Doba života nadbytečných nositelů v křemíku
// Srpen 15th, 2010 // No Comments » // Publikace
Doba života nadbytečných nositelů v křemíku (Carrier lifetime in silicon)
Celá práce je k nahlédnutí zde: PDF
Anotace:
Hlavním cílem této práce bylo určení rekombinační doby života nadbytečných nositelů v křemíku pomocí sledování časového poklesu fotovodivosti (PCD). Zpracovány jsou kontaktní metody měření doby života. Součástí práce je i měření vlastností jednotlivých vzorků, na kterých bylo prováděno vlastní měření doby života. Samotné měření doby života bylo provedeno na sérii tenkých vzorků, u kterých byly následně ověřeny závislosti na povrchu a na vlivu injekce. Dále pak série měření na jednom vybraném tlustém vzorku, u kterého byla ověřována závislost doby života na tloušťce.Annotation:
The main aim of this work was to determine an recombination excess carrier lifetime in silicon by means of monitoring the photoconductivity time decline (PCD). Then the contact methods of measurement carrier lifetime are elaborated in this work. The part of the work is also the measurement of characteristics various samples on which the intrinsic measurement of carrier lifetime was used. The measurement of carrier lifetime was done on set of thin specimens by which the dependences on surface and on influence of injection were veryfied. Further then series of measurement on one choice bulky specimen, by which a dependence of carrier lifetime was checked on thickness, was done.
Continue reading “Doba života nadbytečných nositelů v křemíku” »
